شهر سخت افزار/ اولین اطلاعات از فناوری ساخت 1.4 نانومتری (SF1.4) سامسونگ منتشر شده و به نظر می‌رسد که در سال 2027 باید آماده تغییرات بزرگی باشیم. در این فناوری ساخت بسیار پیشرفته تعداد نانوصفحات افزایش یافته و ما شاهد بهبود چشم‌گیر عملکرد و کاهش میزان مصرف تراشه‌های نسل بعد خواهیم بود.سامسونگ یکی از اولین شرکت‌های تولیدکننده تراشه بود که اواسط سال 2022 فناوری ساخت جدیدی را معرفی کرد که بر روی فناوری ترانزیستورهای نانوصفحه (Nanosheet tTransistors) با SF3E یا همان کلاس سه نانومتری GAA (Gate-All-Around) متکی بود.به گزارش Tomshardware، این غول فناوری کره‌ای از فناوری جدید خود برای ساخت تراشه‌های مختلفی استفاده می‌کند، با این حال به نظر می‌رسد که استفاده از این گره تنها به ساخت تراشه‌های کوچک (مانند تراشه‌هایی که برای استخراج ارز دیجیتال مورد استفاده قرار می‌گیرند) محدود شده است.

بازار

حالا Samsung عزم خود را جزم کرده تا سال آینده فناوری SF3 را معرفی کند، فناوری ساخت پیشرفته‌تری که می‌تواند طیف گسترده‌ای از کاربردها را داشته باشد. بر همین اساس، گفته شده که سامسونگ قصد دارد فناوری پیشرفته SF3P که برای تولید پردازنده‌های مورد استفاده در پایگاه‌های داده و پردازنده‌های گرافیکی طراحی شده را عرضه کند.خبرهای خوب سامسونگاین در حالی است که طبق نقشه راه افشا شده توسط برخی منابع نزدیک به سامسونگ، سال 2025 نیز شاهد معرفی فناوری SF2 (کلاس 2 نانومتری) خواهیم بود که نه‌تنها به ترانزیستورهای GAA متکی است، بلکه قابلیت انتقال انرژی به صورت بک‌ساید (Backside Power Delivery) را هم دارد. هرکجا که از چگالی ترانزیستور و تحویل انرژی صحبت می‌کنیم، این ویژگی می‌تواند مزایای قابل توجهی به همراه داشته باشد.با تمام این تفاسیر، بزرگ‌ترین تغییر اساسی در گره‌های تولید سامسونگ پس از معرفی SF3E مبتنی بر GAA در سال 2027 اتفاق خواهد افتاد، زمانی که این غول فناوری کره‌ای تصمیم بگیرد فناوری ساخت SF1.4 را همراه با افزایش تعداد نانوشیت (نانوصفحه‌ها) معرفی کند. جئونگ گی تائه (Jeong Gi-Tae)، معاون بخش فناوری ساخت سامسونگ مدتی قبل ادعا کرد که این شرکت قرار است با فناوری ساخت SF1.4 (کلاس 1.4 نانومتری) تعداد نانوصفحه‌ها را از سه به چهار عدد افزایش دهد.به گفته وی، چنین تغییری می‌تواند مزایای قابل توجه از جمله افزایش عملکرد در کنار کاهش مصرف انرژی در تراشه‌های جدید را به همراه داشته باشد. به عبارت دیگر، نانو صفحات در هر ترانزیستور می‌توانند جریان محرک را افزایش داده و عملکرد را بهبود ببخشند. افزایش تعداد نانوشیت‌ها به معنای اجازه عبور جریان بیشتر از ترانزیستور و افزایش قابلیت سوئیچینگ و سرعت عملیاتی است.

شایان ذکر است که رقبای اصلی سامسونگ در این بخش یعنی اینتل و TSMC قصد دارند استفاده از ترانزیستورهای GAA و فناوری ساخت 20A و N2 (کلاس 2 نانومتری) را به ترتیب در سال‌های 2024 و 2025 آغاز کنند.اولین اطلاعات از فناوری ساخت 1.4 نانومتری (SF1.4) سامسونگ منتشر شده و به نظر می‌رسد که در سال 2027 باید آماده تغییرات بزرگی باشیم. در این فناوری ساخت بسیار پیشرفته تعداد نانوصفحات افزایش یافته و ما شاهد بهبود چشم‌گیر عملکرد و کاهش میزان مصرف تراشه‌های نسل بعد خواهیم بود.سامسونگ یکی از اولین شرکت‌های تولیدکننده تراشه بود که اواسط سال 2022 فناوری ساخت جدیدی را معرفی کرد که بر روی فناوری ترانزیستورهای نانوصفحه (Nanosheet tTransistors) با SF3E یا همان کلاس سه نانومتری GAA (Gate-All-Around) متکی بود.به گزارش Tomshardware، این غول فناوری کره‌ای از فناوری جدید خود برای ساخت تراشه‌های مختلفی استفاده می‌کند، با این حال به نظر می‌رسد که استفاده از این گره تنها به ساخت تراشه‌های کوچک (مانند تراشه‌هایی که برای استخراج ارز دیجیتال مورد استفاده قرار می‌گیرند) محدود شده است.حالا Samsung عزم خود را جزم کرده تا سال آینده فناوری SF3 را معرفی کند، فناوری ساخت پیشرفته‌تری که می‌تواند طیف گسترده‌ای از کاربردها را داشته باشد. بر همین اساس، گفته شده که سامسونگ قصد دارد فناوری پیشرفته SF3P که برای تولید پردازنده‌های مورد استفاده در پایگاه‌های داده و پردازنده‌های گرافیکی طراحی شده را عرضه کند.

این در حالی است که طبق نقشه راه افشا شده توسط برخی منابع نزدیک به سامسونگ، سال 2025 نیز شاهد معرفی فناوری SF2 (کلاس 2 نانومتری) خواهیم بود که نه‌تنها به ترانزیستورهای GAA متکی است، بلکه قابلیت انتقال انرژی به صورت بک‌ساید (Backside Power Delivery) را هم دارد. هرکجا که از چگالی ترانزیستور و تحویل انرژی صحبت می‌کنیم، این ویژگی می‌تواند مزایای قابل توجهی به همراه داشته باشد.با تمام این تفاسیر، بزرگ‌ترین تغییر اساسی در گره‌های تولید سامسونگ پس از معرفی SF3E مبتنی بر GAA در سال 2027 اتفاق خواهد افتاد، زمانی که این غول فناوری کره‌ای تصمیم بگیرد فناوری ساخت SF1.4 را همراه با افزایش تعداد نانوشیت (نانوصفحه‌ها) معرفی کند. جئونگ گی تائه (Jeong Gi-Tae)، معاون بخش فناوری ساخت سامسونگ مدتی قبل ادعا کرد که این شرکت قرار است با فناوری ساخت SF1.4 (کلاس 1.4 نانومتری) تعداد نانوصفحه‌ها را از سه به چهار عدد افزایش دهد.به گفته وی، چنین تغییری می‌تواند مزایای قابل توجه از جمله افزایش عملکرد در کنار کاهش مصرف انرژی در تراشه‌های جدید را به همراه داشته باشد. به عبارت دیگر، نانو صفحات در هر ترانزیستور می‌توانند جریان محرک را افزایش داده و عملکرد را بهبود ببخشند. افزایش تعداد نانوشیت‌ها به معنای اجازه عبور جریان بیشتر از ترانزیستور و افزایش قابلیت سوئیچینگ و سرعت عملیاتی است.شایان ذکر است که رقبای اصلی سامسونگ در این بخش یعنی اینتل و TSMC قصد دارند استفاده از ترانزیستورهای GAA و فناوری ساخت 20A و N2 (کلاس 2 نانومتری) را به ترتیب در سال‌های 2024 و 2025 آغاز کنند.

در کانال آی‌تی و ™CanaleIT هم کلی عکس و ویدئوی دسته اول و جذاب داریم